April 17, 2019

Wissenschaftler der NTHU versehen MRAM der nächsten Generation mit einem „Spin“

HSINCHU, Taiwan–(BUSINESS WIRE)–Der Speicher Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) wird künftig die Grundlage der digitalen Technologie der nächsten Generation bilden. Die effiziente und effektive Manipulation des MRAM stellt jedoch eine Herausforderung dar. Einem interdisziplinären Forschungsteam der National Tsing Hua University (NTHU) in Taiwan unter der Leitung von Prof. Chih-Huang Lai und Prof. Hsiu-Hau Lin gelang kürzlich ein revolutionärer Durchbruch. Mithilfe einer nur wenige N


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