April 17, 2019

Riassunto: Gli scienziati della NTHU ottimizzano le MRAM di nuova generazione

HSINCHU, Taiwan–(BUSINESS WIRE)–La memoria magnetoresistiva ad accesso casuale (MRAM) è la candidata all’avanguardia per la tecnologia digitale di prossima generazione, ma la sua gestione efficiente ed efficace ha tuttavia comportato notevoli problemi. Un team di ricerca interdisciplinare che opera presso la National Tsing Hua University (NTHU) di Taiwan, guidato dal Prof. Chih-Huang Lai e dal Prof. Hsiu-Hau Lin, di recente ha fatto una scoperta rivoluzionaria: aggiungendo uno strato di plati


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