October 12, 2018

Nexperia MOSFETs 为热交换设计提供最佳安全操作区和改进的导通阻抗RDS(on)

奈梅亨–(BUSINESS WIRE)–Nexperia公司,作为分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球先行者,今天推出了其 NextPower Live 线性模式 MOSFET 系列的最新产品,PSMN3R7-100BSE 提供强大的安全操作区 (SOA) 和较低 RDS(on) 的最佳组合,非常适用于热插拔、软启动和电子熔断器应用。将具有高 SOA 的 MOSFET 与热插拔控制器结合使用,旨在管理交换服务器主机板或其他插拔式系统时可能出现的高浪涌电流,确保顺利启动处理器板。前几代器件已经在 SOA 与 RDS(on) 之间做了优化,而新技术在不影响 RDS(on) 的情况下使 SOA 实现了最大化,从而保持了较高的操作效率水平。 与标准技术相比,Nexperia 的新型 PSMN3R7-100BSE MOSFETs 改善了SOA,其线性模式性能提高了四倍,最大 RDS(on)仅为3.95mΩ(典型值为3.36mΩ)——比以前的器件内阻约低18%。这些N沟道 100V 器件为 D2PAK 封装,结温为175 OC。此外,这些器件与所有领先制造商的热交换控制器完全兼容。


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